硅碳化硅
8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
2022年4月27日 8英寸碳化硅单晶研究获进展. 2022-04-27 来源： 物理研究所. 【字体： 大 中 小 】. 语音播报. 碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约
进一步探索碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（一） 雪球八英寸碳化硅衬底企业进度一览 知乎第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎碳化硅（SiC）衬底，未来大哥是谁！ 两写了篇第三代半导体重要材料碳化硅（SiC）国产化趋势分析根据热度为您推荐•反馈
碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？-EDN 电子技术设计
2020年9月2日 SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有三大优势：更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带。 SiC具有3电子伏特（eV）的宽禁带，可以承受比硅大8倍
进一步探索三分钟了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎专栏碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？ 21ic电子网根据热度为您推荐•反馈根据热度为您推荐•反馈
碳化硅_百度百科
发展历史物质品种理化性质制作工艺中国产地品质规格应用领域
碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂，1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是大
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 同第一代半导体材料硅(Si)、 锗(Ge)和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)、 磷化液(InP)相比， 第三代半导体材料碳化硅(SiC)因禁带宽度大(3.2 eV， 约 3 倍于硅基材
硅、碳化硅、氮化镓？半导体开关技术哪个强？ 知乎
2022年12月26日 图1：硅超级结MOSFET和碳化硅MOSFET采用垂直结构；氮化镓MOSFET则采用水平结构 首先要注意的是，硅超级结MOSFET和碳化硅MOSFET二者具
碳化硅_百度百科
2023年5月5日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用 石英砂 、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過 電阻爐 高温冶煉而成。. 碳化硅在大
碳化硅简介 知乎
2020年12月7日 表 1 碳化硅主要性能指标 SiC包括250多类同素异构体，其中比较重点的有两种晶型：即β-SiC和α-SiC。 如果用SiC制备半导体，通过其自身具有的特性来减少电
作为晶圆衬底，6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比，哪个更好
2023年4月30日 碳化硅从2英寸到4英寸、6英寸再到8英寸，基本上是在遵循硅的发展路线演进。 在直径方面，碳化硅和硅相差不大。 但在晶体厚度方面，由于碳化硅生长工艺技术
巨头跑步进场 功率半导体进入SiC时代？|碳化硅|功率半导体
2023年5月27日 功率半导体正从传统硅基功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），走向以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的时代。
8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
2022年4月27日 碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和电子漂移速率（约为Si 的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍）等优异性能。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积
SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ 知乎
2023年3月6日 如用扩散方法进行惨杂，碳化硅扩散温度远高于硅，此时掩蔽用的SiO2层已失去了掩蔽作用，而且碳化硅本身在这样的高温下也不稳定，因此不宜采用扩散法掺杂，而要用离子注入掺杂。 如果p型离子注入的杂质使用铝。由于铝原子比碳原子大得多
碳化硅_百度百科
2023年5月5日 碳化硅 外文名 silicon carbide 別 名 硅化碳; 一碳化硅 化學式 SiC 分子量 40.096 CAS登錄號 409-21-2 EINECS登錄號 206-991-8 熔 點 2700 ℃ 水溶性 不溶 密 度 3.22 g/cm³ 外 觀 黃色至綠色，至藍色至黑色晶體，取決於其純度。 應 用 用於磨料、耐磨劑、磨具、高級耐火材料，精細陶瓷 安全性描述 S26；S36 危險性符號 R36/37/38 目錄 1
什么是碳化硅（SiC）？相较于Si性能优势有哪些？ 百家号
2019年7月26日 碳化硅概述 碳化硅（SiC）是第三代半导体材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。 跟传统半导体材料硅相比，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率等明显的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主
一张图了解第三代半导体材料——碳化硅 百家号
2022年5月13日 5.3外延片 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。
SiC和GaN的一些技术对比：竞争还是互补？ 知乎
2022年10月29日 SiC：极限功率器件的理想的材料 SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。 C 原子和 Si 原子不同的结合方式使 SiC 拥有多种晶格结构，如 4H、6H、3C 等等。 4H-SiC 因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。 SiC 从上个世纪 70 年代开始研发，2001 年 SiC SBD 商
碳化硅（SiC）缘何成为第三代半导体最重要的材料？一文为你
2020年10月31日 碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件，因此相比于传统的硅快恢复二极管（ SiFRD ），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。 在器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流（如图 1.2a ），反向恢复时间小于 20ns ，甚至 600V10A 的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在 10ns 以内。
2023年中国碳化硅产业链上中下游市场分析（附产业链全景图
2023年5月19日 碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。 根据Yole数据，2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12亿美元和
碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（三） 转载自：信熹
2021年12月4日 目碳化硅功率器件主要定位于功率在1kW～500kW之间、工作频率在10kHz～100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车车载充电机与电驱系统、充电桩、光伏微型逆变器、高铁、智能电网、工业级电源等领域，可取代部分硅功率器件。 当电动汽车的车载充电机市场已逐步采用碳化硅SBD（肖
巨头跑步进场 功率半导体进入SiC时代？|碳化硅|功率半导体
2023年5月27日 功率半导体正从传统硅基功率器件IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金氧半场效晶体管），走向以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的时代。
8英寸碳化硅单晶研究获进展----中国科学院
2022年4月27日 碳化硅（SiC）是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强（约为Si的10倍）、高饱和电子漂移速率（约为Si的2倍）、高热导率（Si的3倍、GaAs的10倍）等优异性能。 相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有应用
巨头跑步进场 功率半导体进入SiC时代？|碳化硅|功率半导体
2023年5月27日 大厂入局 2018年，特斯拉开始在新能源汽车Model 3的主驱逆变器里，使用基于碳化硅材料的SiC MOSFET，以替代传统的硅基IGBT。 此举，正式将SiC从幕后推到台，也被后入场的新能源汽车厂商效仿。 由于 SiC器件具有耐高温、低损耗、导热性良好、耐腐蚀、强度大、高纯度等优点，并且在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率以及功率密
2023年中国碳化硅产业链上中下游市场分析（附产业链全景图
2023年5月19日 碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。 根据Yole数据，2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12亿美元和
全面量产！合盛硅业布局碳化硅！ 中国粉体网
19 小时之 中国粉体网讯 日，合盛硅业发布公告，公司控股子公司宁波合盛新材近日成功研发碳化硅半导体材料并具备量产能力。 “公司已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶体生长、衬底加工等全产业链核心工艺技术，突破了关键材料（多孔石墨、涂层材料）和装备的技术壁垒，目SiC生产线已具备量产
碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有什么优势？ 知乎
2022年10月25日 12个回答 默认排序 英飞凌 已认证帐号 关注 46 人赞同了该回答 先说说碳化硅(SiC)的优势。 首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。 其次是系统效率的提
国产碳化硅PIM模块实现对硅基替代，SiC芯片供不应求将
2023年3月28日 碳化硅赛道还吸引着硅基功率模块厂商的纷纷横向拓展布局，这其中既包括采用IDM 模式的中车时代电气、比亚迪、士兰微、华润微、华微电子等企业，也包括具备设计和模块封测的企业，比如斯达半导、宏微科技、台基股份等。同样，碳化硅衬底
碳化硅（SiC）产业研究-由入门到放弃（三） 转载自：信熹
2021年12月4日 目碳化硅功率器件主要定位于功率在1kW～500kW之间、工作频率在10kHz～100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车车载充电机与电驱系统、充电桩、光伏微型逆变器、高铁、智能电网、工业级电源等领域，可取代部分硅功率器件。 当电动汽车的车载充电机市场已逐步采用碳化硅SBD（肖
碳化硅二极管广泛应用，为半导体行业推波助力 知乎
2023年5月22日 碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料，其击穿场强是硅的10倍，热导率是硅的2.5倍。 用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高温环境下工作，具有极低的开关损耗和高频工作能力，减小模块的体积和重量，显著提高系统的效率，有利于节能降耗，广泛应用于风光发电、光伏逆变、UPS储能、新能源汽车、航军工等
碳化硅（SiC）缘何成为第三代半导体最重要的材料？一文为你
2020年10月31日 碳化硅（SiC）是目发展最成熟的宽禁带半导体材料，世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
为什么会出现碳化硅（传统电子器件缺点？）？ 知乎
2017年10月23日 碳化硅这几年发展迅速，SiC最近太热，什么 碳化硅mosfet等器件太火了，它的出现是个偶然还是，为什么这个东西近几年突然火起来 关注者 33 被浏览 13,929 关注问题 写回答 邀请回答 好问题 分享 7 个回答 默认排序 知乎用户 17 人 赞同了该回答 对于功率半导体，碳化硅的材料性能要优于硅。 因为其拥有更高的工作温度，更快的载流子速
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2020年9月2日 SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有三大优势：更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带。 SiC具有3电子伏特（eV）的宽禁带，可以承受比硅大8倍
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第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 同第一代半导体材料硅(Si)、 锗(Ge)和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)、 磷化液(InP)相比， 第三代半导体材料碳化硅(SiC)因禁带宽度大(3.2 eV， 约 3 倍于硅基材
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作为晶圆衬底，6英寸的碳化硅和12英寸的硅相比，哪个更好
2023年4月30日 碳化硅从2英寸到4英寸、6英寸再到8英寸，基本上是在遵循硅的发展路线演进。 在直径方面，碳化硅和硅相差不大。 但在晶体厚度方面，由于碳化硅生长工艺技术
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2023年5月5日 碳化硅 外文名 silicon carbide 別 名 硅化碳; 一碳化硅 化學式 SiC 分子量 40.096 CAS登錄號 409-21-2 EINECS登錄號 206-991-8 熔 點 2700 ℃ 水溶性 不溶 密 度 3.22 g/cm³ 外 觀 黃色至綠色，至藍色至黑色晶體，取決於其純度。 應 用 用於磨料、耐磨劑、磨具、高級耐火材料，精細陶瓷 安全性描述 S26；S36 危險性符號 R36/37/38 目錄 1
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2022年5月13日 5.3外延片 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。
SiC和GaN的一些技术对比：竞争还是互补？ 知乎
2022年10月29日 SiC：极限功率器件的理想的材料 SiC是由硅和碳组成的化合物半导体材料，在热、化学、机械方面都非常稳定。 C 原子和 Si 原子不同的结合方式使 SiC 拥有多种晶格结构，如 4H、6H、3C 等等。 4H-SiC 因为其较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，常被用来做功率器件。 SiC 从上个世纪 70 年代开始研发，2001 年 SiC SBD 商
碳化硅（SiC）缘何成为第三代半导体最重要的材料？一文为你
2020年10月31日 碳化硅肖特基二极管是一种单极型器件，因此相比于传统的硅快恢复二极管（ SiFRD ），碳化硅肖特基二极管具有理想的反向恢复特性。 在器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流（如图 1.2a ），反向恢复时间小于 20ns ，甚至 600V10A 的碳化硅肖特基二极管的反向恢复时间在 10ns 以内。
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2023年5月19日 碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。 根据Yole数据，2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12亿美元和
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2021年12月4日 目碳化硅功率器件主要定位于功率在1kW～500kW之间、工作频率在10kHz～100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车车载充电机与电驱系统、充电桩、光伏微型逆变器、高铁、智能电网、工业级电源等领域，可取代部分硅功率器件。 当电动汽车的车载充电机市场已逐步采用碳化硅SBD（肖
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2023年5月27日 大厂入局 2018年，特斯拉开始在新能源汽车Model 3的主驱逆变器里，使用基于碳化硅材料的SiC MOSFET，以替代传统的硅基IGBT。 此举，正式将SiC从幕后推到台，也被后入场的新能源汽车厂商效仿。 由于 SiC器件具有耐高温、低损耗、导热性良好、耐腐蚀、强度大、高纯度等优点，并且在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率以及功率密
2023年中国碳化硅产业链上中下游市场分析（附产业链全景图
2023年5月19日 碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。 根据Yole数据，2022年全球导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底市场规模分别为5.12亿美元和
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2022年10月25日 12个回答 默认排序 英飞凌 已认证帐号 关注 46 人赞同了该回答 先说说碳化硅(SiC)的优势。 首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。 其次是系统效率的提
国产碳化硅PIM模块实现对硅基替代，SiC芯片供不应求将
2023年3月28日 碳化硅赛道还吸引着硅基功率模块厂商的纷纷横向拓展布局，这其中既包括采用IDM 模式的中车时代电气、比亚迪、士兰微、华润微、华微电子等企业，也包括具备设计和模块封测的企业，比如斯达半导、宏微科技、台基股份等。同样，碳化硅衬底
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2017年10月23日 碳化硅这几年发展迅速，SiC最近太热，什么 碳化硅mosfet等器件太火了，它的出现是个偶然还是，为什么这个东西近几年突然火起来 关注者 33 被浏览 13,929 关注问题 写回答 邀请回答 好问题 分享 7 个回答 默认排序 知乎用户 17 人 赞同了该回答 对于功率半导体，碳化硅的材料性能要优于硅。 因为其拥有更高的工作温度，更快的载流子速