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碳化硅除杂

在使用碳化硅制品中有杂质出现,该怎样去除? 百度知道

2016年2月18日  ①首先来讲碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下,用硫酸对碳化硅颗粒进行处理,主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质。这样可

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5种碳化硅微粉去除铁杂质的工艺方法_水进行

2020年2月12日  在碳化硅微粉的生产过程中,除了要去除碳杂质外,铁也是其中必须去除的杂质之一,以下是去除铁杂质的5种方法: 一、化学除铁工艺——酸浸法 碳化硅微粉中

进一步探索

碳化硅微粉中铁离子的去除方法与流程碳化硅微粉除铁装置及其使用方法与流程根据热度为您推荐•反馈

碳化硅_百度百科

发展历史物质品种理化性质制作工艺中国产地品质规格应用领域

碳化硅是由美国人艾奇逊在1891年电熔金刚石实验时,在实验室偶然发现的一种碳化物,当时误认为是金刚石的混合体,故取名金刚砂,1893年艾奇逊研究出来了工业冶炼碳化硅的方法,也就是大

碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望 CSEE

2020年10月15日  近20 多年来,碳化硅(silicon carbide,SiC)作为 一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注[1]。与硅相比,碳化硅具有很多优点,如:碳化硅的禁 带宽度更

碳化硅的制备及应用最新研究进展 hanspub

2022年5月20日  生产的碳化硅粉体不够细,杂质多,能耗低,效率低,但由于操作工艺简单,仍被广泛用于碳化硅的制 备。以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法:将粉体颗粒

碳化硅退火除杂方法与流程 X技术网

2022年10月18日  15.本发明公开的碳化硅退火除杂方法的有益效果是:通过中间隔热保温层将退火炉 分为恒温区和低温区,恒温区加热至退火温度,使碳化硅晶体进行退火,同时

一种碳化硅微粉除杂装置及其工艺 百度学术

2018年6月21日  1.一种碳化硅微粉除杂装置,包括除杂罐 (1),其特征在于:所述除杂罐 (1)顶部设置有电动机 (2),所述除杂罐 (1)两侧安装有两组超声波发生器 (6),所述除杂罐

一种碳化硅除杂系统 豆丁网

2021年10月31日  本实用新型通过将浮选除杂、磁选除铁和酸洗除铁有机的结合起来,从而除去碳化硅中的杂质和微量铁元素,最终得到高纯度的碳化硅;通过将酸洗罐设置成一

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件封装关键技术 知乎

2022年10月14日  本文分析和探讨了碳化硅器件封装中的 3 个关键技术问题:1)整理归纳了低杂散电感参数的新型封装结构,从设计原理上概括了其基本思路并列举了一些典型封

碳化硅_百度百科

2023年5月5日  碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高温冶煉而成。碳化硅在大自然

高纯SiC微粉制备进展

2020年6月25日  关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展 Abstract: The main preparation processes of high-purity SiC micropowder were reviewed,and the new progress of purification process of high-purity SiC micropowder in recent years was introduced.The upgrading of the preparation process,and the industrial technical process and equipment

如何除掉碳化硅_百度知道

2008年7月30日  3个回答 #热议# 编剧史航被多人指控性骚扰,真实情况如何? 千家信耐材 2019-04-16 耐磨材料、耐火材料、化工产品的聚集地 关注 首先是碳化硅的酸洗。 酸洗通常是在加热的条件下用硫酸对碳化硅颗粒进行处理。 其主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质。 其次是碳化硅的碱洗。 碳化硅的碱洗通常也是在加热碳化硅

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碳化硅_百度百科

碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用 石英砂 、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过 电阻炉 高温冶炼而成。 碳化硅在大自然也存在罕见的矿物, 莫桑石 。 在C、N、B等非氧化物高技术 耐火原料 中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为 金钢砂 或 耐火砂 。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅

怎样去除碳化硅制品中的杂质 百度知道

2013年10月21日  想要去除其杂质就要对其进行酸洗,主要步骤有:. 首先,碳化硅的酸洗。. 酸洗通常是在加热的条件下,用硫酸对碳化硅颗粒进行处理,主要目的是. 为了去掉碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质,这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次

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初中化学物质检验、鉴别和除杂 知乎

2020年4月20日  ☆ 物质的除杂 ☆ 除杂原则: (1)不增:不引入新的杂质。(2)不减:提纯或分离的物质不能转变成其他物质,不减少被提纯的物质。(3)易分:杂质易分离。(4)复原:被保留的物质应能恢复原状。 常用的除杂方法: 【物理方法】

碳化硅功率器件封装关键技术 知乎

2023年5月24日  碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战: 1.降低杂散电感 传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特

一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法与流程 X技术网

2019年7月31日  背景技术: 碳化硅作为一种新型半导体材料,具有高耐压、假损耗、高导热率、低漏电流等优异的性能。 被普遍认为是替代硅基功率器件最理想的新型半导体器件。 物理气相传输法 (physicalvaportransport-pvt)是用于生长碳化硅晶体的常用方法,该方法将碳化硅籽晶设置在石墨坩埚盖上或顶端,石墨坩埚内装有作为生长原料的碳化硅粉末,控制

一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置及其实施方法与流程

2022年9月16日  1.本发明涉及碳化硅微粉生产技术领域,具体为一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置及其实施方法。背景技术: 2.碳化硅微粉是指利用jzfz设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。 碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主,由于碳化硅微粉主要用于磨料行业,所以对微粉的分级有特殊要求,微粉中不能

如何调整碳化硅 MOSFET 驱动来减少功率损耗 CSDN博客

2023年5月19日  碳化硅 MOSFET 要求比标准的超结 MOSFET 或 IGBT 较高的栅极电压幅值。. 我们建议使用 +20 V偏压的栅极驱动以减少 RDS (on),从而减少传导损耗。. 因此,碳化硅 MOSFET 提供比其它碳化硅器件明显的优势:. 直流电流需求 它不需要任何栅极电流,以维持导通状态。.

碳化硅除杂碳化硅除杂碳化硅除杂

2017年10月27日  2020-5-26 碳化硅微粉除杂装置 本技术涉及碳化硅生产,特别是涉及碳化硅微粉除杂装置。 技术介绍 碳化硅即金刚砂,其化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。 碳化硅常用作磨料,还有采用碳化硅材料制成高级耐火材料、脱氧剂和增加物体表面耐磨性能 碳化硅微粉除碳的六种工艺方法-找耐火材料网 2020-2-12 该方法的

高纯SiC微粉制备进展

2020年6月25日  关键词: SiC, 制备方法, 除杂, 研究进展 Abstract: The main preparation processes of high-purity SiC micropowder were reviewed,and the new progress of purification process of high-purity SiC micropowder in recent years was introduced.The upgrading of the preparation process,and the industrial technical process and equipment

高中化学,最全‘除杂’知识分享,再也不为繁琐的除杂步骤而

2020年11月19日  除去物质中少量杂质的过程叫做物质的提纯,简称除杂。 在高中化学的学习中除杂是化学考试中非常常见的一个题型,考察的是元素化合物和化学实验(包括物理方法分离和化学方法除杂)的中和知识,题目类型也比较多,所以没有什么统一的解题方法。

怎样去除碳化硅制品中的杂质 百度知道

2013年10月21日  为了去掉碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质,这么能够很洁净方便的去掉碳化硅中的杂质; 其次,碳化硅的碱洗。 碳化硅的碱洗通常是在加热的条件下,用NAOH对碳化硅颗粒进行处理,主 要目的是除掉外表的游离硅,二氧化硅等等,这么能够进步碳化硅的含量,加强它的碳化硅含量。 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论

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碳化硅功率器件封装关键技术 知乎

2023年5月24日  碳化硅器件的这些优良特性,需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接,才能得到完美展现,如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战: 1.降低杂散电感 传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特

初中化学物质检验、鉴别和除杂 知乎

2020年4月20日  ☆ 物质的除杂 ☆ 除杂原则: (1)不增:不引入新的杂质。(2)不减:提纯或分离的物质不能转变成其他物质,不减少被提纯的物质。(3)易分:杂质易分离。(4)复原:被保留的物质应能恢复原状。 常用的除杂方法: 【物理方法】

碳化硅到底还能不能跟IGBT叫板了? 知乎

2020年12月4日  碳化硅的机遇 都快被媒体说烂了,但是大多数人仍然搞不清楚碳化硅好在哪里,为什么好? 首先,要明确电动汽车的痛点—— 续驶里程。 提升续驶里程要么增加电池装机量,要么降低损耗;电池成本居高不下,而且增加装机量需要额外的空间,这时候降低损耗成为一个不错的突破口,那么碳化硅如何发挥? 就逆变器而言,功率器件是核心能量转

一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法与流程 X技术网

2019年7月31日  背景技术: 碳化硅作为一种新型半导体材料,具有高耐压、假损耗、高导热率、低漏电流等优异的性能。 被普遍认为是替代硅基功率器件最理想的新型半导体器件。 物理气相传输法 (physicalvaportransport-pvt)是用于生长碳化硅晶体的常用方法,该方法将碳化硅籽晶设置在石墨坩埚盖上或顶端,石墨坩埚内装有作为生长原料的碳化硅粉末,控制

一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置及其实施方法与流程

2022年9月16日  1.本发明涉及碳化硅微粉生产技术领域,具体为一种碳化硅微粉生产用酸洗除杂装置及其实施方法。背景技术: 2.碳化硅微粉是指利用jzfz设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。 碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主,由于碳化硅微粉主要用于磨料行业,所以对微粉的分级有特殊要求,微粉中不能

如何调整碳化硅 MOSFET 驱动来减少功率损耗 CSDN博客

2023年5月19日  碳化硅 MOSFET 要求比标准的超结 MOSFET 或 IGBT 较高的栅极电压幅值。. 我们建议使用 +20 V偏压的栅极驱动以减少 RDS (on),从而减少传导损耗。. 因此,碳化硅 MOSFET 提供比其它碳化硅器件明显的优势:. 直流电流需求 它不需要任何栅极电流,以维持导通状态。.

碳化硅除杂碳化硅除杂碳化硅除杂

2017年10月27日  2020-5-26 碳化硅微粉除杂装置 本技术涉及碳化硅生产,特别是涉及碳化硅微粉除杂装置。 技术介绍 碳化硅即金刚砂,其化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好。 碳化硅常用作磨料,还有采用碳化硅材料制成高级耐火材料、脱氧剂和增加物体表面耐磨性能 碳化硅微粉除碳的六种工艺方法-找耐火材料网 2020-2-12 该方法的